2. 메모리들의 작동 방식 - RAM

RAM(Random Access Memory)

자유롭게 임의의 위치에 접근하여 내용을 읽고 쓸 수 있고, 어느 위치에나 똑같은 속도로 접근하고 쓸 수 있는 메모리로 주로 휘발성을 갖습니다.

ROM에 비해 읽고 쓰기가 자유롭고 속도도 훨씬 빠르기 때문에 보조기억장치와 중앙처리장치 사이의 병목을 줄여주는 역할로 주로 사용합니다.

1. SRAM(Static RAM)

SRAM은 내용을 한번 기록하면 전원이 공급되는 동안 내용을 그대로 갖고 있습니다. 그리고 DRAM의 100배 이상으로 접근 속도가 빠르지만 구조가 복잡하여 공간을 많이 차지하므로 집적도를 높이기 어려워 가격이 비싸고 대용량으로 제작하기가 어렵습니다. 속도를 대략 측정해보면 초당 수 백 GB/s를 넘는 정도로 매우 빠릅니다. 그래서 빠른 속도가 요구되는 캐시 메모리(Cache Memory)에 주로 사용됩니다.

2. DRAM(Dynamic RAM)

DRAM은 내용을 기록한 뒤에 그 내용을 유지하기 위해서 주기적으로 다시 써줘야 합니다. 캐패시터로 이루어져 있고, 캐패시터의 충전 상태로 내용을 기록하기 때문에 캐패시터가 방전이 될 때마다 다시 써줘야지 되는 것입니다.

DRAM은 속도가 SRAM보다는 느리지만 구조가 간단하여 집적도를 쉽게 높일 수 있습니다. SRAM에 비해 속도는 느리지만 가격이 싸고 집적도를 쉽게 높일 수 있기 때문에 캐시보다는 느린 주 기억 장치에 주로 쓰이게 됩니다.

보통 우리가 램이라고 부르는 것들은 대부분 DDR SRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM) 혹은 LPDDR SDRAM(Low Power DDR SDRAM)을 지칭합니다.